聯電今天宣布，董事會通過將在新加坡Fab12i廠區擴建一座嶄新的先進晶圓廠計畫，新廠第一期的月產能規劃為三萬片晶圓，預計2024年底開始量產。聯電這座新廠是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供22/28奈米製程，總投資金額為50億美元（約新台幣1千4百億元）。
聯電在新加坡投入12吋晶圓製造廠的營運已經超過20年，新加坡Fab12i也是聯電的先進特殊製程研發中心。加計Fab12i的擴建計畫，聯電在2022年的資本支出預算將提高到36億美元。
聯電表示，由於5G物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電22/28奈米製程需求的前景強勁，因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年後對客戶產能的供應。新廠生產的特殊製程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及混合信號CMOS等，在智慧手機、智慧家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。期望這座新廠能在滿足這些示廠強勁的需求上扮演重要角色，特別是協助紓解22/28奈米晶圓產能結構性的短缺。
聯電董事長洪嘉聰表示，非常高興能夠擴大聯電在新加坡的12吋晶圓廠營運，這將使聯電的製造能量進一步朝多元化邁進。在過去的20年裡，聯電受益於新加坡透過完善的基礎設施、產業鏈及人力資源來吸引高科技公司的願景。新加坡Fab12i廠是聯電的旗艦創新中心，與客戶合作新的研發項目並將在新廠上線後立刻投入生產。近期半導體供應短缺已明確點出半導體供應鏈必須提高透明度，共同降低風險。此次擴產投資是聯電與重要客戶朝共同目標緊密合作的成果，聯電將會在提升供應鏈產能與創造客戶的長期成功上，盡最大的努力。
