台亞近期投入第三類半導體（又稱寬能隙半導體）不遺餘力，除了投入大量資金外，更利用現有產線擴充相關產能。「不過利用目前生產線，受限一些瓶頸，產能無法放大」，衣冠君不諱言地說道。
衣冠君直指，目前碳化矽產能月產將近5,000片，氮化鎵月產則約3,000～5,000片，而這樣的產能遠遠不及因應未來電動車需求，故台亞已開始擬定3年擴廠計畫，積極向竹科管理局爭取占地4公頃銅鑼廠區用地建置新廠。
「台亞在碳化矽、氮化鎵都有非常大的投資金額在進行，新廠的建置也是為了第三類半導體所建」，衣冠君強調，預期未來將拓展6吋的碳化矽、8吋氮化鎵產線，甚至不排除建設12吋氮化鎵產線。
至於在設備端的建置，衣冠君坦言，產線中的磊晶機難以取代，新機6吋設備難以取得，而8吋大多是12吋設備降級所製，用12吋設備價格取得8吋設備也不合哩，故目前排除購買二手產品。
衣冠君進一步說道，二手產品取得時間短，加上大陸市場也瘋狂投入碳化矽、氮化鎵，設備需求量大，間接將二手設備價格哄抬很高，所以二手設備也不見得較為便宜。
也因如此，台亞也開始找尋新的設備採購方向。本身也是材料博士出身的衣冠君分析，半導體功率元件非IC類產品，在生產時對線寬沒有太嚴格要求，基本上國內許多設備商，均具有設計、生產、製造的能力，故在這波設備選型上，搭配扶植台灣本土製造的國家政策，初期8吋產線以導入4成國產自製設備為目標。
衣冠君透露，預期4成占比的自製設備，品項包含蝕刻類、清洗類、原子層沉積系統（ALD）等設備；而雷射設備，目前仍以日製為主。
