鴻海研究院表示，本次的研究成果，已於今年7月發表在國際頂尖電力電子期刊IEEE Transactions on Power Electronics（IEEE TPEL）上。IEEE TPEL 期刊是由國際電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineers，IEEE）下屬的電力電子學會（Power Electronics Society）出版，是電力電子學領域最具影響力和權威性的學術期刊之一。
郭浩中所長表示，「利用『空乏型氮化鎵電晶體』整合於『脈衝雷射驅動電路』，能夠縮小元件體積，並且實現高效率的功率轉換，以及產生任意頻率的光脈衝。」研究團隊使用互補式氮化鎵高電子移動率電晶體，打造高頻脈衝雷射驅動器 （High Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs）。
成維華教授進一步表示，我們所開發的高頻短脈衝雷射驅動器具備高達50MHz的切換頻率，脈衝寬度小於10奈秒，同時驅動峰值功率達50W，經過一系列分析與電路優化後，相比傳統脈衝雷射架構的理論最高效率37%，我們所提出的脈衝雷射驅動器轉換效率可達75%。
研究團隊已針對於基於「氮化鎵電晶體」的互補式脈衝雷射驅動方法，其對應的相關專利申請，正持續申請中。期盼持續推進第三代半導體技術，未來透過分享的方式，結合台灣半導體優勢，不斷提升光達等先進模組的微型化和高效率，為未來創新科技開闢新道路。
